В 1933 г. в Горьковском государственном университете в области рентгенографии металлов работали проф. Я.С. Уманский, Н.М. Симанович, М.М. Чердок. Под их руководством на базе отдела металлофизики НИРФИ (научно-исследовательский радиофизический институт)в 1934 г.была организована кафедра физики металлов. Первым заведующим кафедрой стал проф. Г.И. Аксенов. С 1937 по 1945 гг. кафедру возглавлял проф А.Е. Брюханов. Первый выпуск кафедры был в 1937 году. Среди выпускников А.К. Шевелев - будущий проректор Горьковского университета, был заведующим кафедрой с 1946 по 1962 г., А.В. Белюстин - один из ведущих ученых в области роста кристаллов, возглавлявший кафедру в период с 1962 по 1968 г., проф. Б.А. Апаев - доктор технических наук зав. отделом ГИФТИ (Горьковский исследовательский физико- технический институт), организатор кафедры физики металлов физического факультета в 1967 г, В.Н. Щербаков - первый заведующий кафедрой экспериментальной физики, образованной на физико-математическом факультете в 1954 г, заведующий лабораторией рентгенографии ГИФТИ. Выпускник 1938 г. Б.М. Носков в течение ряда лет возглавлял физико-математический факультет, был первым деканом образованного в 1959 г. физического факультета, заведующим кафедрами экспериментальной физики и строения вещества. Среди выпускников кафедры - В.И. Широков, ректор университета в 1955-1961 гг., организатор кафедры строения вещества.

10 февраля 1946 г. на физико-математическом факультете состоялась научная конференция, на которой с докладами выступали профессора из института кристаллографии АН СССР (г. Москва) Н.В. Белов, А.В. Шубников, З.Г. Пинскер. Но приезд, организованный по инициативе одного из первых выпускниов кафедры зам. Директора Института кристаллографии АН СССР Л.М. Белаева и зав. кафедры металлофизики А.К. Шевелева, преследовал цель организации базы подготовки кристаллографических кадров для страны.

Сидят: зав. каф. доц. А.К. Шевелев, доц. А.В. Белюстин, академик А.В. Шубников, студенты В.Н. Белоусова, А.Е. Елесина, Е.А. Софиенкова; стоят: ассистент Т.Н. Тархова, проф. З.Г. Пинскер, студ. В.И. Мокеева, чл.-корр. АН СССР проф. Н.В. Белов

Одновременно была усилена профессором З.Г. Пинскером кафедра физики металлов. Обе кафедры работали по единому учебному плану. В период укрепления кафедр они были слиты в одну - кристаллографии и физики металлов со специализацией в области как кристаллографии, так и физики металлов. Заведующим объединенной кафедрой стал доц. А.К. Шевелев. На кафедре совместно с ГИФТИ была организована подготовка студентов и получило развитие кристаллографическое научное направление. Развитие научного направления по росту кристаллов, основанного А.В. Шубниковым, активно продолжил доцент А.В. Белюстин, возглавлявший кафедру в период 1962-1968 гг. Основы исследований в области рентгеноструктурного анализа кристаллов были заложены Н.В. Беловым. К этим работам подключилась Т.Н. Тархова. В области электронографии металлических фаз под руководством З.Г. Пинскера активно работал заведующий лабораторией ГИФТИ С.В. Каверин.
Выпускники кафедры кристаллографии и физики металлов сыграли важную роль в развитии выделившегося в 1959 г. из состава физико-математического факультета Горьковского университета физического факультета.

Кафедра физики диэлектриков и полупроводников

Кафедра физики диэлектриков и полупроводников (ФДП) создана на физико-математическом (с 1959 г. - физическом) факультете ГГУ в феврале 1958 г. Ее организатором и первым заведующим был доктор технических наук, профессор К. А. Водопьянов (1908 - 1962) - известный ученый в области физики диэлектриков, который незадолго до этого перешел на работу в Горьковский университет из Томского университета, где он прошел путь от студента до профессора. В 1959 г. приступил к работе на кафедре приглашенный из Ленинградского университета доцент И.А. Карпович, возглавивший полупроводниковое направление учебной и научной работы кафедры. После скоропостижной смерти проф. К.А. Водопьянова в декабре 1962 г. руководство кафедрой было возложено на И.А. Карповича (с 1975 г. профессора), который заведовал кафедрой почти 35 лет до ее объединения с кафедрой кристаллографии и оптоэлектроники в 1997 г.

За почти 40 лет своего существования кафедра ФДП оставила заметный след в истории физического факультета. Она первой на физическом факультете и в университете начала подготовку специалистов по полупроводникам, в которых в 60-х годах возникла острая потребность в НИИ и на промышленных предприятиях электронного профиля г. Горького в связи с их переходом на полупроводниковую элементную базу и микроэлектронику. С учетом студентов вечернего отделения на кафедре было подготовлено по полупроводниковым специальностям около 900 специалистов, многие из которых стали кандидатами и докторами наук, а выпускник 1967 года Н. Демидов и соискатель кафедры Н. Салащенко избраны чл.-корреспондентами Российской Академии Наук. На кафедре подготовлены 3 доктора (И.А. Карпович, М.А. Ризаханов, Б.И. Бедный) и около 30 кандидатов наук, некоторые из которых позже стали докторами наук (А.А. Червова, Н.Н. Салащенко). Профессором И.А. Карповичем созданы в Нижегородском университете научно-педагогический коллектив по физике полупроводников, представителями которого в настоящее время являются профессор Б. И. Бедный, ведущий научный сотрудник НИФТИ Б.Н. Звонков, доценты Н.В. Байдусь, С. В. Тихов, Д.О. Филатов, Н.В. Федосеева, кандидат наук С. В. Планкина, и научная школа по физике поверхности полупроводников и низкоразмерных гетеронаноструктур.

Важную роль в развитии научного направления и подготовки высококвалифицированных кадров на кафедре сыграло создание почти одновременно в ГИФТИ сначала небольшой группы, а затем и так называемой базовой научной лаборатории, работавшей с кафедрой по единому научному направлению. В настоящее время это группа эпитаксиальной технологии ГИФТИ, возглавляемая учеником проф. И.А. Карповича кандидатом наук Б.Н. Звонковым. Кафедрой и лабораторией выполнен широкий цикл исследований по разработке метода газофазной эпитаксии арсенида галлия и его твердых растворов из металлорганических соединений, выяснению условий выращивания качественных гетеронаноструктур с квантовыми ямами и точками, разработке методов диагностики электронных параметров и изучению электронных и фотоэлектронных явлений в этих структурах. По этой тематике под руководством проф. И.А. Карповича в последние годы защитили кандидатские диссертации аспиранты Д.О. Филатов, С.М. Планкина, С.В. Морозов, Е.Л. Шоболов, О.Н. Горшков, А.П. Здоровейщев. На основе гетероструктур с квантовыми ямами Б.Н. Звонковым были разработаны инжекционные полупроводниковые лазеры, не уступающие по параметрам зарубежным аналогам. Мощный импульс развитию этих исследований придала организация в 1998 г. в рамках Российско-американской программы Научно-образовательного центра (НОЦ) сканирующей зондовой микроскопии, преобразованного в 2001 г. в НОЦ «Физики твердотельных наноструктур», оснащенного уникальным оборудованием для сканирующей зондовой микроскопии и оптических исследований.

В 1997 г. по взаимной инициативе заведующих кафедрами профессоров И.А. Карповича и А.Ф. Хохлова было принято решение о создании на базе кафедр ФДП и Кристаллографии и оптоэлектроники объединенной кафедры Физики полупроводников и оптоэлектроники, что и было осуществлено приказом ректора ННГУ 19 июня 1997 г. Развитие научно-педагогического направления, сложившегося на кафедре ФДП, на этом не закончилось, а продолжилось на объединенной кафедре.

В 1967 г. после образования на физическом факультете кафедры физики металлов кафедра кристаллографии и физики металлов была преобразована в кафедру кристаллографии и полностью перешла на специализацию "Кристаллография и структурный анализ". На кафедре начали читаться новые курсы лекций: теория дифракции, экспериментальные методы рентгеноструктурного анализа, рентгенография реальных кристаллов, кристаллизация и рост кристаллов. Преподавание дисциплин, связанных с исследованием реальной структуры кристаллов, вели доц. А.К. Шевелев, асс. М.А. Мочалова, асс. Р.В. Кудрявцева; доц. А.В. Белюстин, доц. В.Н. Портнов (зав. кафедрой в 1971-1974 гг.), асс. Э.Д. Рогачева обеспечивали "ростовое" направление кафедры. Подготовку кристаллографов-структурщиков осуществляли доц. Т.Н. Тархова (зав. кафедрой в 1968-71 гг.), старш.преп. В.П. Головачев, асс. Э.А. Кузьмин.
B 1974 г. кафедру кристаллографии возглавил молодой доктор наук Э.А. Кузьмин. Именно в этот период кафедра становится победителем социалистического соревнования кафедр университета. Многие сотрудники кафедры кристаллографии и лаборатории ГИФТИ защищают кандидатские диссертации, на кафедру приходят молодые ассистенты.

Профессор А.Ф. Хохлов - заведующий кафедрой физики полупроводников и оптоэлектроники. 1984 - 2003 гг.

С 1984 по 1997 гг. - заведующим кафедрой кристаллографии, а затем кристаллографии и оптоэлектроники был доктор физико-математических наук, профессор А. Ф. Хохлов, а с 1997 по 2003 гг. - заведующим кафедрой физики полупроводников и оптоэлектроники.
Развитие кафедры с 1984 г. до наших дней определялось мыслями и деяниями А.Ф. Хохлова, его творческой инициативой. Он был реформатором науки и, несомненно, еще долгое время кафедра будет жить его идеями.

1984 г.

1986 г.

1987 г.

1988 г.

1989 г.

1988 - 1992 гг.

1993 - 1994 гг.

1996 г.

1997 г.

1998 - 2003 гг.

слева направо: зам. министра образования России Ю.В. Шлёнов; ректор ННГУ, проф. А.Ф. Хохлов; проректор по научной работе ННГУ, проф. Г.А. Максимов